punch through原理
「punch through原理」熱門搜尋資訊
「punch through原理」文章包含有：「106年公務人員高等考試三級考試試題」、「Anti-Punch-Through」、「Cmos工艺中Punch-through原理」、「MOSFET的2ndordereffect」、「三維折疊式非傳統單載子互補金氧半場效電晶體結構與原理...」、「功率MOSFET基础知识详解」、「半導體中的隧道效應」、「四、場效電晶體原理1.電晶體簡介2.MOSFET的操作原理(定性...」、「解决MOS管小电流发热，就看这一招！」
查看更多
106 年公務人員高等考試三級考試試題
http://www.public.tw
【擬答】 當電晶體操作於主動區時，B-C 外加逆偏電壓，一旦B－C 之逆向偏壓愈大時，空乏區之寬度亦 增加，導致基極有效寬度減少，一旦有效寬度降為0 時，會造成BJT 之貫穿崩潰(Punch Through)。
Anti-Punch-Through
http://blog.iccourt.com
CMOS器件进阶版讲解（转）. 本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础 ...
Cmos工艺中Punch-through原理
https://www.bilibili.com
【擬答】 當電晶體操作於主動區時，B-C 外加逆偏電壓，一旦B－C 之逆向偏壓愈大時，空乏區之寬度亦 增加，導致基極有效寬度減少，一旦有效寬度降為0 時，會造成BJT 之貫穿崩潰(Punch Through)。
MOSFET的2nd order effect
http://ezphysics.nchu.edu.tw
2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V)時，氧化層 ...
三維折疊式非傳統單載子互補金氧半場效電晶體結構與原理 ...
https://ndltd.ncl.edu.tw
我們使用一個有貫穿效應(punch through effect)的NMOS電晶體和一個傳統NMOS電晶體構成的邏輯閘，來實現互補金氧半場效電晶體(CMOS)操作。我們提出的CMOS電路，其驅動和負載 ...
功率MOSFET基础知识详解
https://community.infineon.com
晶体管穿通现象（Punch-through）在源极和漏极之间形成了一道电流通路，并产生了软击穿。有关软击穿的特性，请见图7。IDSS 表示源极和漏极之间的漏电流。
半導體中的隧道效應
https://zh.wikipedia.org
電荷穿隧過絕緣氧化層，稱為「打穿」（punch through），會導致閘極的破壞。近來，業界嘗試以高介電係數（high-k）材料取代以往的二氧化矽絕緣氧化層，以提高等效電容 ...
四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...
http://140.120.11.1
2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V)時，氧化層 ...
解决MOS管小电流发热，就看这一招！
https://mouser.eetrend.com
这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通（punch ...